FQD30N06 Datasheet PDF - Fairchild

November 2013

●Description

●This  N-Channel  enhancement  mode  power  MOSFET  is produced  using  Fairchild  Semiconductor’s  proprietary planar  stripe  and  DMOS  technology.  This  advanced

●MOSFET  technology  has  been  especially  tailored  to reduce  on-state  resistance,  and  to  provide  superior switching  performance  and  high  avalanche  energy

●strength.  These  devices  are  suitable  for  switched  mode power  supplies,  audio  amplifier,  DC  motor  control,  and variable switching power applications.

●Features

●• 22.7  A,  60  V,  RDS(on)=  45  mΩ (Max.)  @ VGS =  10V, ID = 11.4 A

●• Low Gate Charge (Typ. 19 nC)

●• Low Crss (Typ. 40 pF)

●• 100% Avalanche Tested